<br />
<b>Warning</b>:  session_name(): Cannot change session name when session is active in <b>/home/stalko/rodina-ru.com/docs/dokuwiki/inc/init.php</b> on line <b>231</b><br />
<br />
<b>Warning</b>:  session_set_cookie_params(): Cannot change session cookie parameters when session is active in <b>/home/stalko/rodina-ru.com/docs/dokuwiki/inc/init.php</b> on line <b>232</b><br />
<WRAP #content>
======Полупроводниковая пластина======
<WRAP #bodyContent><WRAP #mw-content-text :ru>[{{wiki:220px-etchedwafer.jpg|Полупроводниковая пластина со сформированным на ней массивом микросхем}}]<wrap>**Полупроводниковая пластина** — [[полуфабрикат]] в [[технологический-процесс-в-электронной-промышленности|технологическом процессе производства]] [[полупроводниковые-приборы|полупроводниковых приборов]] и [[микросхема|микросхем]].</wrap>

<wrap>Представляет собой тонкую (250—1000 [[мкм]]) пластину из полупроводникового материала диаметром до 450 мм, на поверхности которой с помощью операций [[планарная-технология|планарной технологии]] формируется массив дискретных полупроводниковых приборов или [[интегральная-схема|интегральных схем]].</wrap>

<wrap>После создания необходимой полупроводниковой структуры пластину [[разделение-пластин-на-кристаллы-технологическая-операция-|разрезают на отдельные кристаллы]] ([[чип|чипы]]). Промышленный выпуск полупроводниковых пластин имеет существенное значение для производства интегральных микросхем.</wrap>

<wrap></wrap>

<wrap></wrap>


=====Изготовление основы для полупроводниковых пластин=====
<wrap>Пластины изготавливаются из высокочистого (чистота порядка 99,9999999 %),((«Semi» SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International. December 2005. Reference Section: //How to Make a Chip.// Adapted from Design News. Reed Electronics Group.)) монокристалического кремния, практически не содержащего дефектов.((SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International. December 2005. Reference Section: //How to Make a Chip.// Adapted from Design News. Reed Electronics Group.)) Для изготовления слитков с заданной кристаллографической ориентацией используются [[метод-чохральского|процесс Чохральского]]((<wrap #CITEREFLevy1989><wrap>//Levy Roland Albert.// [[http://books.google.com/books?id=wZPRPU6ne7UC&pg=PA248#PPA6,M1|Microelectronic Materials and Processes]]. — 1989. — P. 1–2. — [[служебная-источники-книг/0792301544|ISBN 0-7923-0154-4]].</wrap></wrap>))((<wrap #CITEREFGrovenor1989><wrap>//Grovenor C.// [[http://books.google.com/books?id=Ecl_mnz1xcUC&pg=PA122&dq=GaAs+Wafer+Manufacture#PPA113,M1|Microelectronic Materials]]. — CRC Press, 1989. — P. 113–123. — [[служебная-источники-книг/0852742703|ISBN 0-85274-270-3]].</wrap></wrap>)) и [[зонная-плавка|метод зонной плавки]].</wrap>

<wrap>Полученный слиток (буля) подвергается многоступенчатой обработке; края слитка обрезаются и слиток стачивается до нужного диаметра. Далее слиток нарезается на пластины, затем каждая пластина полируется.((<wrap #CITEREFNishi2000><wrap>//Nishi Yoshio.// [[http://books.google.com/books?id=Qi98H-iTgLEC&pg=PA70&dq=wafer+flat+and+notch#PPA71,M1|Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology]]. — CRC Press, 2000. — P. 67–71. — [[служебная-источники-книг/0824787838|ISBN 0-8247-8783-8]].</wrap></wrap>))</wrap>


=====Стандартные размеры=====
[{{wiki:220px-wafer-2-zoll-bis-8-zoll.jpg|Пластины диаметром 2, 4, 6, 8 дюймов (50, 100, 150, 200 мм).}}]<wrap>Диаметр круглой пластины</wrap>


  * 1 [[дюйм]].
  * 2 дюйма (50,8 мм). Толщина 275 [[мкм]].
  * 3 дюйма (76,2 мм). Толщина 375 мкм.
  * 4 дюйма (100 мм). Толщина 525 мкм.
  * 5 дюймов (127 мм) и 125 мм (4.9 дюйм). Толщина 625 мкм.
  * 5,9 дюйма (150 мм, часто называются «6 дюймов»). Толщина 675 мкм.
  * 7,9 дюйма (200 мм, часто называются «8 дюймов»). Толщина 725 мкм.
  * 11,8 дюйма (300 мм, часто называются «12 дюймов» или «Пластина размером с пиццу»). Толщина 775 мкм.
  * 18 дюймов (450 мм). Толщина 925 мкм (ожидается(([[http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1169573|Industry agrees on first 450-mm wafer standard | EE Times]])))
<wrap>Наиболее популярные размеры: 200 мм, 300 мм, 150 мм(([[http://www.semi.org/en/sites/semi.org/files/docs/2012.12.11%20SEMI%20Mkt%20Webinar_Combined.pdf|http://www.semi.org/en/sites/semi.org/files/docs/2012.12.11%20SEMI%20Mkt%20Webinar_Combined.pdf]] слайд 15)). Наиболее современные техпроцессы (начиная примерно со 130 нм) по изготовлению СБИС обычно используют 300 мм пластины.</wrap>


=====См. также=====

  * [[подложка|Подложка]]
  * [[smif|SMIF]]
  * [[fuop|FUOP]]
  * [[multi-project-wafer|Multi-Project Wafer]]

=====Ссылки=====

  * [[http://www.ee.byu.edu/cleanroom/everything_wafers.phtml|Everything Wafers]] <wrap><color #888>(англ.)</color></wrap>
<wrap>\\
</wrap>

</WRAP><WRAP></WRAP></WRAP></WRAP>
{{tag>Микроэлектроника "Технология полупроводников"}}