Warning: session_name(): Cannot change session name when session is active in /home/stalko/rodina-ru.com/docs/dokuwiki/inc/init.php on line 231

Warning: session_set_cookie_params(): Cannot change session cookie parameters when session is active in /home/stalko/rodina-ru.com/docs/dokuwiki/inc/init.php on line 232
======Полупроводник n-типа====== [{{wiki:220px-n-doped-si-svg.png|Схематическое изображение кремния с донорной примесью [[фосфор|фосфора]]}}]**Полупроводники n-типа** — [[полупроводник]], в котором основные [[носители-заряда|носители заряда]] — [[электроны-проводимости|электроны проводимости]]. Для того чтобы получить полупроводник n-типа, [[собственный-полупроводник|собственный полупроводник]] [[легирование-полупроводники-|легируют]] [[донор-электрона|донорами]]. Обычно это атомы, которые имеют на валентной оболочке на один электрон больше, чем у атомов полупроводника, который легируется. При не слишком низких температурах [[электрон|электроны]] и со значительной вероятностью переходят с донорных уровней в [[зона-проводимости|зону проводимости]], где их состояния [[делокализованное-состояние|делокализованы]] и они могут вносить вклад в [[электрический-ток|электрический ток]]. Число электронов в зоне проводимости зависит от концентрации доноров, энергии донорных уровней, ширины [[запрещенная-зона|запрещенной зоны]] полупроводника, температуры, [[эффективная-плотность-состояний|эффективной плотности уровней]] в зоне проводимости. Обычно легирование проводится до уровня 10¹³−10¹⁹ доноров в [[сантиметр|см]]³. При высокой концентрации доноров полупроводник становится [[вырожденный-полупроводник|вырожденным]]. =====См. также===== * [[p-n-переход|p-n переход]] * [[полупроводник-p-типа|Полупроводник p-типа]] {{tag>"Физика полупроводников"}}