<br />
<b>Warning</b>:  session_name(): Cannot change session name when session is active in <b>/home/stalko/rodina-ru.com/docs/dokuwiki/inc/init.php</b> on line <b>231</b><br />
<br />
<b>Warning</b>:  session_set_cookie_params(): Cannot change session cookie parameters when session is active in <b>/home/stalko/rodina-ru.com/docs/dokuwiki/inc/init.php</b> on line <b>232</b><br />
<WRAP #content>
======Полупроводник p-типа======
<WRAP #bodyContent><WRAP #mw-content-text :ru>[{{wiki:220px-schema-p-dotiertes-silicium-svg.png|Кристаллическая решетка полупроводника р-типа.}}]<wrap>**Полупроводник p-типа** — [[полупроводник]], в котором основными носителями [[электрический-заряд|заряда]] являются [[дырка-физика-|дырки]].</wrap>

<wrap>Полупроводники p-типа получают методом [[легирование-полупроводники-|легирования]] [[собственный-полупроводник|собственных полупроводников]] [[акцептор-физика-полупроводников-|акцепторами]]. Для полупроводников четвёртой группы периодической таблицы, таких как [[кремний]] и [[германий]], акцепторами могут быть примеси химических элементов третьей группы — [[бор-элемент-|бор]], [[алюминий]].</wrap>

<wrap>Концентрация дырок в валентной зоне определяется [[температура|температурой]], концентрацией акцепторов, положением акцепторного уровня над верхом [[валентная-зона|валентной зоны]], эффективной плотностью уровней в валентной зоне.</wrap>


=====См. также=====

  * [[p-n-переход|p-n переход]]
  * [[полупроводник-n-типа|Полупроводник n-типа]]
<wrap>\\
</wrap>

</WRAP><WRAP></WRAP></WRAP></WRAP>
{{tag>"Физика полупроводников"}}