Сайт патологического холостяка

Эта страница только для чтения. Вы можете посмотреть её исходный текст, но не можете его изменить. Сообщите администратору, если считаете, что это неправильно.

<WRAP #content>
======Полупроводниковая пластина======
<WRAP #bodyContent><WRAP #mw-content-text :ru>[{{wiki:220px-etchedwafer.jpg|Полупроводниковая пластина со сформированным на ней массивом микросхем}}]<wrap>**Полупроводниковая пластина** — [[полуфабрикат]] в [[технологический-процесс-в-электронной-промышленности|технологическом процессе производства]] [[полупроводниковые-приборы|полупроводниковых приборов]] и [[микросхема|микросхем]].</wrap>

<wrap>Представляет собой тонкую (250—1000 [[мкм]]) пластину из полупроводникового материала диаметром до 450 мм, на поверхности которой с помощью операций [[планарная-технология|планарной технологии]] формируется массив дискретных полупроводниковых приборов или [[интегральная-схема|интегральных схем]].</wrap>

<wrap>После создания необходимой полупроводниковой структуры пластину [[разделение-пластин-на-кристаллы-технологическая-операция-|разрезают на отдельные кристаллы]] ([[чип|чипы]]). Промышленный выпуск полупроводниковых пластин имеет существенное значение для производства интегральных микросхем.</wrap>

<wrap></wrap>

<wrap></wrap>


=====Изготовление основы для полупроводниковых пластин=====
<wrap>Пластины изготавливаются из высокочистого (чистота порядка 99,9999999 %),((«Semi» SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International. December 2005. Reference Section: //How to Make a Chip.// Adapted from Design News. Reed Electronics Group.)) монокристалического кремния, практически не содержащего дефектов.((SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International. December 2005. Reference Section: //How to Make a Chip.// Adapted from Design News. Reed Electronics Group.)) Для изготовления слитков с заданной кристаллографической ориентацией используются [[метод-чохральского|процесс Чохральского]]((<wrap #CITEREFLevy1989><wrap>//Levy Roland Albert.// [[http://books.google.com/books?id=wZPRPU6ne7UC&pg=PA248#PPA6,M1|Microelectronic Materials and Processes]]. — 1989. — P. 1–2. — [[служебная-источники-книг/0792301544|ISBN 0-7923-0154-4]].</wrap></wrap>))((<wrap #CITEREFGrovenor1989><wrap>//Grovenor C.// [[http://books.google.com/books?id=Ecl_mnz1xcUC&pg=PA122&dq=GaAs+Wafer+Manufacture#PPA113,M1|Microelectronic Materials]]. — CRC Press, 1989. — P. 113–123. — [[служебная-источники-книг/0852742703|ISBN 0-85274-270-3]].</wrap></wrap>)) и [[зонная-плавка|метод зонной плавки]].</wrap>

<wrap>Полученный слиток (буля) подвергается многоступенчатой обработке; края слитка обрезаются и слиток стачивается до нужного диаметра. Далее слиток нарезается на пластины, затем каждая пластина полируется.((<wrap #CITEREFNishi2000><wrap>//Nishi Yoshio.// [[http://books.google.com/books?id=Qi98H-iTgLEC&pg=PA70&dq=wafer+flat+and+notch#PPA71,M1|Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology]]. — CRC Press, 2000. — P. 67–71. — [[служебная-источники-книг/0824787838|ISBN 0-8247-8783-8]].</wrap></wrap>))</wrap>


=====Стандартные размеры=====
[{{wiki:220px-wafer-2-zoll-bis-8-zoll.jpg|Пластины диаметром 2, 4, 6, 8 дюймов (50, 100, 150, 200 мм).}}]<wrap>Диаметр круглой пластины</wrap>


  * 1 [[дюйм]].
  * 2 дюйма (50,8 мм). Толщина 275 [[мкм]].
  * 3 дюйма (76,2 мм). Толщина 375 мкм.
  * 4 дюйма (100 мм). Толщина 525 мкм.
  * 5 дюймов (127 мм) и 125 мм (4.9 дюйм). Толщина 625 мкм.
  * 5,9 дюйма (150 мм, часто называются «6 дюймов»). Толщина 675 мкм.
  * 7,9 дюйма (200 мм, часто называются «8 дюймов»). Толщина 725 мкм.
  * 11,8 дюйма (300 мм, часто называются «12 дюймов» или «Пластина размером с пиццу»). Толщина 775 мкм.
  * 18 дюймов (450 мм). Толщина 925 мкм (ожидается(([[http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1169573|Industry agrees on first 450-mm wafer standard | EE Times]])))
<wrap>Наиболее популярные размеры: 200 мм, 300 мм, 150 мм(([[http://www.semi.org/en/sites/semi.org/files/docs/2012.12.11%20SEMI%20Mkt%20Webinar_Combined.pdf|http://www.semi.org/en/sites/semi.org/files/docs/2012.12.11%20SEMI%20Mkt%20Webinar_Combined.pdf]] слайд 15)). Наиболее современные техпроцессы (начиная примерно со 130 нм) по изготовлению СБИС обычно используют 300 мм пластины.</wrap>


=====См. также=====

  * [[подложка|Подложка]]
  * [[smif|SMIF]]
  * [[fuop|FUOP]]
  * [[multi-project-wafer|Multi-Project Wafer]]

=====Ссылки=====

  * [[http://www.ee.byu.edu/cleanroom/everything_wafers.phtml|Everything Wafers]] <wrap><color #888>(англ.)</color></wrap>
<wrap>\\
</wrap>

</WRAP><WRAP></WRAP></WRAP></WRAP>
{{tag>Микроэлектроника "Технология полупроводников"}}

Сайт патологического холостяка

Главное меню

Рекомендовать сайт

Навигация

Вход на сайт

Старая структура меню

Реклама

Сайт патологического холостяка

Инструменты пользователя

Инструменты сайта

Инструменты страницы

Главное меню

Рекомендовать сайт

Навигация

Вход на сайт

Старая структура меню

Реклама