Инструменты пользователя
Содержание
Полупроводниковая пластина
Полупроводниковая пластина — полуфабрикат в технологическом процессе производства полупроводниковых приборов и микросхем.
Представляет собой тонкую (250—1000 мкм) пластину из полупроводникового материала диаметром до 450 мм, на поверхности которой с помощью операций планарной технологии формируется массив дискретных полупроводниковых приборов или интегральных схем.
После создания необходимой полупроводниковой структуры пластину разрезают на отдельные кристаллы (чипы). Промышленный выпуск полупроводниковых пластин имеет существенное значение для производства интегральных микросхем.
Изготовление основы для полупроводниковых пластин
Пластины изготавливаются из высокочистого (чистота порядка 99,9999999 %),1) монокристалического кремния, практически не содержащего дефектов.2) Для изготовления слитков с заданной кристаллографической ориентацией используются процесс Чохральского3)4) и метод зонной плавки.
Полученный слиток (буля) подвергается многоступенчатой обработке; края слитка обрезаются и слиток стачивается до нужного диаметра. Далее слиток нарезается на пластины, затем каждая пластина полируется.5)
Стандартные размеры
Диаметр круглой пластины
- 1 дюйм.
- 2 дюйма (50,8 мм). Толщина 275 мкм.
- 3 дюйма (76,2 мм). Толщина 375 мкм.
- 4 дюйма (100 мм). Толщина 525 мкм.
- 5 дюймов (127 мм) и 125 мм (4.9 дюйм). Толщина 625 мкм.
- 5,9 дюйма (150 мм, часто называются «6 дюймов»). Толщина 675 мкм.
- 7,9 дюйма (200 мм, часто называются «8 дюймов»). Толщина 725 мкм.
- 11,8 дюйма (300 мм, часто называются «12 дюймов» или «Пластина размером с пиццу»). Толщина 775 мкм.
- 18 дюймов (450 мм). Толщина 925 мкм (ожидается6))
Наиболее популярные размеры: 200 мм, 300 мм, 150 мм7). Наиболее современные техпроцессы (начиная примерно со 130 нм) по изготовлению СБИС обычно используют 300 мм пластины.
См. также
Ссылки
- Everything Wafers (англ.)
Инструменты страницы