Различия

Здесь показаны различия между двумя версиями данной страницы.

--- технологический-процесс-в-электронной-промышленности [2015/11/03 14:46]
stalko [Этапы технологического процесса при производстве микросхем]
+++ технологический-процесс-в-электронной-промышленности [2015/11/03 19:50] (текущий)
@@ Строка 83: / Строка 83: @@
 Для обозначения более тонких техпроцессов разные технологические альянсы могут следовать различным рекомендациям (Foundry/IDM). В частности, TSMC использует обозначения 40 нм, 28 нм и 20 нм для техпроцессов, сходных по плотности с процессами Intel 45 нм, 32 нм и 22 нм соответственно((Scotten Jones. [[https://www.semiwiki.com/forum/content/3884-who-will-lead-10nm.html|Who Will Lead at 10nm?]], SemiWiki (29 сентября 2014))).
 ===90 нм===
-**90 нм** — техпроцесс, соответствующий уровню полупроводниковой технологии, которая была достигнута к 2002—2003 годам. В соответствии с моделями ITRS[6], соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 0,13 мкм.
+**90 нм** — техпроцесс, соответствующий уровню полупроводниковой технологии, которая была достигнута к 2002—2003 годам. В соответствии с моделями ITRS(([[http://www.realintent.com/real-talk/911/semiconductor-design-technology-and-system-drivers-roadmap-process-and-status-part-3|Semiconductor Design Technology and System Drivers Roadmap: Process and Status – Part 3]], 2013: "ITRS MPU driver model ..scaled the number of logic transistors .. by 2× per technology node. Since dimensions shrink by 0.7× per node, and nominal layout density therefore doubles, this simple scaling model allows die size to remain constant across technology nodes.")), соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 0,13 мкм.\\
 Технологический процесс с проектной нормой 90 нм часто используется с технологиями напряженного кремния, медных соединений с меньшим сопротивлением, чем у ранее применяемого алюминия, а также c новыми диэлектрическими материалами с низкой диэлектрической проницаемостью.
+  * Intel Pentium 4 (Prescott)
-Intel Pentium 4 (Prescott)
+  * [[МЦСТ-4R]] (готовится к выпуску, 4 ядра, 1 ГГц)
-МЦСТ-4R (готовится к выпуску, 4 ядра, 1 ГГц)
+  * AMD [[Turion 64 X2]] (мобильный)
-AMD Turion 64 X2 (мобильный)
+  * [[Эльбрус-S]] - 2010
-Эльбрус-S - 2010
+===65 нм===
-нм[править | править вики-текст]
+**65 нм** — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2004 году ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS(([[http://www.realintent.com/real-talk/911/semiconductor-design-technology-and-system-drivers-roadmap-process-and-status-part-3|Semiconductor Design Technology and System Drivers Roadmap: Process and Status – Part 3]], 2013: "ITRS MPU driver model ..scaled the number of logic transistors .. by 2× per technology node. Since dimensions shrink by 0.7× per node, and nominal layout density therefore doubles, this simple scaling model allows die size to remain constant across technology nodes.")), соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 90 нм.
-нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2004 году ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS[6], соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 90 нм.
+  * Intel [[Pentium 4]] (Cedar Mill) — 2006-01-16
+  * Intel [[Pentium D]] 900-series — 2006-01-16
-Intel Pentium 4 (Cedar Mill) — 2006-01-16
+  * Intel [[Celeron D]] (Cedar Mill cores) — 2006-05-28
-Intel Pentium D 900-series — 2006-01-16
+  * Intel [[Celeron M]]
-Intel Celeron D (Cedar Mill cores) — 2006-05-28
+  * Intel [[Core]] — 2006-01-05
-Intel Celeron M
+  * Intel [[Core 2]] — 2006-07-27
-Intel Core — 2006-01-05
+  * Intel [[Core 2 Duo]]
-Intel Core 2 — 2006-07-27
+  * Intel [[Core 2 Quad]]
-Intel Core 2 Duo
+  * Intel [[Xeon]] — 2006-03-14
-Intel Core 2 Quad
+  * AMD [[Athlon 64]] — 2007-02-20
-Intel Xeon — 2006-03-14
+  * [[AMD Phenom]] X3, X4
-AMD Athlon 64 — 2007-02-20
+  * AMD [[Turion 64 X2]] (мобильный)
-AMD Phenom X3, X4
+  * AMD [[Turion 64 X2 Ultra]] (мобильный)
-AMD Turion 64 X2 (мобильный)
+  * STI [[Cell]] — PlayStation 3 — 2007-11-17
-AMD Turion 64 X2 Ultra (мобильный)
+  * Microsoft [[Xbox 360]] «Falcon» CPU — 2007-09
-STI Cell — PlayStation 3 — 2007-11-17
+  * Microsoft [[Xbox 360]] «Opus» CPU — 2008
-Microsoft Xbox 360 «Falcon» CPU — 2007-09
+  * Microsoft [[Xbox 360]] «Jasper» CPU — 2008-10
-Microsoft Xbox 360 «Opus» CPU — 2008
+  * Microsoft [[Xbox 360]] «Jasper» GPU — 2008-10
-Microsoft Xbox 360 «Jasper» CPU — 2008-10
+  * Sun [[UltraSPARC T2]] — 2007-10
-Microsoft Xbox 360 «Jasper» GPU — 2008-10
+  * TI [[OMAP 3]] — 2008-02
-Sun UltraSPARC T2 — 2007-10
+  * [[VIA Nano]] — 2008-05
-TI OMAP 3 — 2008-02
+  * [[Loongson]] — 2009
-VIA Nano — 2008-05
+  * [[Эльбрус-4С]] — 2014
-Loongson — 2009
+===45 нм / 40 нм===
-Эльбрус-4С — 2014
+**45 нм и 40 нм** — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2006—2007 годах ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS(([[http://www.realintent.com/real-talk/911/semiconductor-design-technology-and-system-drivers-roadmap-process-and-status-part-3|Semiconductor Design Technology and System Drivers Roadmap: Process and Status – Part 3]], 2013: "ITRS MPU driver model ..scaled the number of logic transistors .. by 2× per technology node. Since dimensions shrink by 0.7× per node, and nominal layout density therefore doubles, this simple scaling model allows die size to remain constant across technology nodes.")), соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 65 нм.\\
-нм / 40 нм[править | править вики-текст]
+Для микроэлектронной промышленности стал революционным, так как это был первый техпроцесс, использующий технологию //high-k/metal gate//(([[http://www.intel.com/pressroom/kits/45nm/index.htm| PRESS KIT - First 45nm Chips: Eco-Friendly. Faster. ‘Cooler’]]))(([[http://download.intel.com/pressroom/kits/45nm/Press45nm107_FINAL.pdf|Intel Demonstrates High-k + Metal Gate Transistor Breakthrough on 45 nm Microprocessors]])) (HfSiON/TaN в технологии компании Intel), для замены физически себя исчерпавших SiO2/poly-Si
-нм и 40 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2006—2007 годах ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS[6], соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 65 нм.
+  * Intel [[Core 2 Duo]]
+  * Intel [[Core 2 Quad]]
-Для микроэлектронной промышленности стал революционным, так как это был первый техпроцесс, использующий технологию high-k/metal gate[8][9] (HfSiON/TaN в технологии компании Intel), для замены физически себя исчерпавших SiO2/poly-Si
+  * [[AMD Phenom]] II X2, X3, X4, X6
+  * AMD [[Athlon II]] X2, X3, X4
-Intel Core 2 Duo
+  * Fujitsu [[SPARC64 VI|SPARC64 VIIIfx]]
-Intel Core 2 Quad
+  * [[XCGPU]] ([[APU]] от GlobalFoundries, с 2010)
-AMD Phenom II X2, X3, X4, X6
+===32 нм / 28 нм===
-AMD Athlon II X2, X3, X4
+**32 нм** — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2010 годах ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS(([[http://www.intel.com/pressroom/kits/45nm/index.htm| PRESS KIT - First 45nm Chips: Eco-Friendly. Faster. ‘Cooler’]]))(([[http://download.intel.com/pressroom/kits/45nm/Press45nm107_FINAL.pdf|Intel Demonstrates High-k + Metal Gate Transistor Breakthrough on 45 nm Microprocessors]])), соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 45 нм.\\
-Fujitsu SPARC64 VIIIfx
+Осенью 2009 компания Intel находилась на этапе перехода к этому новому техпроцессу(([[http://www.intel.com/technology/architecture-silicon/32nm/index.htm|Intel 32nm Logic Technology]]))(([[http://news.modnews.ru/view/5983|процессоры Intel по 32-нм технологии]]))(([[http://download.intel.com/pressroom/kits/events/idffall_2009/pdfs/FactSheet-Intel_32nm_process_technology.pdf|New Details on Intel’s Upcoming 32nm Logic Technology]]))(([[http://download.intel.com/pressroom/kits/32nm/westmere/Intel_32nm_Overview.pdf|White Paper Introduction to Intel’s 32nm Process Technology]]))(([[http://download.intel.com/technology/architecture-silicon/32nm/IEDM_09_32nm_SOC_abstract.pdf|High Performance 32nm Logic Technology Featuring 2nd Generation High-k + Metal Gate Transistors]])). С начала 2011 начали производиться процессоры по данному техпроцессу.\\
-XCGPU (APU от GlobalFoundries, с 2010)
+В третьем квартале 2010 года на новых мощностях расположенной на Тайване фабрики Fab 12 компании TSMC начался серийный выпуск продукции по технологии, получившей маркетинговое обозначение "28-нанометров"(([[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?12/86/73|TSMC преодолела сложности 40-нанометровой технологии и в этом году начнет выпуск по нормам 28 нм]])) (не является обозначением, рекомендуемым ITRS).
-нм / 28 нм[править | править вики-текст]
+  * Intel [[Sandy Bridge]]
-нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2010 годах ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS[6], соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 45 нм.
+  * [[Intel Saltwell]]
+  * AMD [[Bulldozer (микроархитектура)|Bulldozer]]
-Осенью 2009 компания Intel находилась на этапе перехода к этому новому техпроцессу[10][11][12][13][14]. С начала 2011 начали производиться процессоры по данному техпроцессу.
+  * AMD Piledriver (второе поколение Bulldozer)
+  * [[APU]] от AMD: [[Llano]] и [[Trinity (процессор)|Trinity]] (второе поколение AMD APU)
-В третьем квартале 2010 года на новых мощностях расположенной на Тайване фабрики Fab 12 компании TSMC начался серийный выпуск продукции по технологии, получившей маркетинговое обозначение "28-нанометров"[15] (не является обозначением, рекомендуемым ITRS).
+  * Многоядерные процессоры Snapdragon фирмы Qualcomm.
+  * Мобильные процессоры Apple A7, изготовляемые Samsung.
-Intel Sandy Bridge
+  * AMD Steamroller (третье поколение Bulldozer, ожидается к середине 2014 года)(([[http://www.3dnews.ru/news/634483|AMD исправляет минусы Bulldozer в архитектуре Steamroller]]))(([[http://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/24438-amd-kaveri-2014.html|Новая архитектура AMD "Steamroller" в 2014?]]))
-Intel Saltwell
+  * [[Эльбрус-8С]] (восьмиядерный процессор серверного класса с архитектурой "Эльбрус", ожидается к 2015 году)((МЦСТ. [[http://www.mcst.ru/novyj-8yadernyj-mikroprocessor-elbrus-8c|Новый 8-ядерный микропроцессор Эльбрус-8С]]))(([[http://www.mcst.ru/vosmiyadernyj-mikroprocessor-s-arkhitekturoj-elbrus|Восьмиядерный микропроцессор с архитектурой Эльбрус]]))
-AMD Bulldozer
+В мае 2011 по технологии 28 нм фирмой [[Altera]] была выпущена самая большая в мире микросхема, состоящая из 3,9 млрд транзисторов(([[http://www.computery.ru/news/news2010.php?nid=8298|Корпорация Altera установила новый отраслевой рекорд — Программируемая вентильная матрица (FPGA) Stratix V]])).\\
-AMD Piledriver (англ.)русск. (второе поколение Bulldozer)
+===22 нм / 20 нм===
-APU от AMD: Llano и Trinity (второе поколение AMD APU)
+**22 нм** — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2012 гг. ведущими компаниями — производителями микросхем. Соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 32 нм.\\
-Многоядерные процессоры Snapdragon фирмы Qualcomm.
+-нм элементы формируются путем фотолитографии, в которой маска экспонируется светом с длиной волны 193 нм(([[http://www.intel.com/cd/corporate/pressroom/emea/rus/archive/2009/432452.htm?print&nocc|Новости с прошедшего с 22 по 24 сентября в Сан-Франциско Форума Intel для разработчиков (Intel Developer Forum, IDF)]]))(([[http://www.semiwiki.com/forum/content/2950-rosetta-stone-lithography.html|The Rosetta Stone of Lithography]], 2013-11-20, по материалам Lars Leibmann, The Escalating Design Impact of Resolution-Challenged Lithography. ICCAD 2013)).\\
-Мобильные процессоры Apple A7, изготовляемые Samsung.
+В 2008 году, на ежегодной выставке высоких технологий International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско технологический альянс компаний IBM, AMD и Toshiba продемонстрировал ячейку памяти [[SRAM (память)|SRAM]], выполненную по 22-нм техпроцессу из транзисторов типа [[FinFET]], которые, в свою очередь, выполняются по прогрессивной технологии [[high-k]]/metal gate (затворы транзистора изготавливаются не из кремния, а из гафния), площадью всего 0,128 мкм² (0,58×0,22 мкм)(([[http://news.tech-labs.ru/15_59357.html|IBM, AMD и Toshiba продемонстрировали первую 22-нм ячейку памяти SRAM]])).\\
-AMD Steamroller (третье поколение Bulldozer, ожидается к середине 2014 года)[16][17]
+Также о разработке ячейки памяти типа SRAM площадью 0,1 мкм² созданную по техпроцессу 22 нм объявили IBM и AMD(([[http://www.matrixmen.ru/news/news_hardware_amd_ibm.php|IBM и AMD продемонстрируют 22 нм ячейку памяти]]))\\
-Эльбрус-8С (восьмиядерный процессор серверного класса с архитектурой "Эльбрус", ожидается к 2015 году)[18][19]
+Первые работоспособные тестовые образцы регулярных структур (SRAM) представлены публике компанией Intel в 2009 году(([[http://download.intel.com/pressroom/kits/events/idffall_2009/pdfs/22nm_factsheet.pdf|Intel Developer Forum 22nm News Facts]])). 22-нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм² функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм² оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм² является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM.\\
-В мае 2011 по технологии 28 нм фирмой Altera была выпущена самая большая в мире микросхема, состоящая из 3,9 млрд транзисторов[20].
+По такой технологии производятся (начала 2012 года):\\
+  * Intel [[Ivy Bridge]] / Ivy Bridge-E
-нм / 20 нм[править | править вики-текст]
+  * Intel [[Haswell]] (последователь Ivy Bridge, со встроенным GPU).
-нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2012 гг. ведущими компаниями — производителями микросхем. Соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 32 нм.
+  * Intel [[Bay Trail]]-M (мобильные Pentium и Celeron на микроархитектуре Silvermont; сентябрь 2013)
+===14 нм / 16 нм FinFET===
--нм элементы формируются путем фотолитографии, в которой маска экспонируется светом с длиной волны 193 нм[21][22].
+По состоянию на сентябрь 2014 TSMC продолжает разработки 16 нм техпроцесса на транзисторах с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, [[FinFET]]) и планирует начать 16 нм производство в 1 квартале 2015 года(([[http://nvworld.ru/news/tags/16%20%D0%BD%D0%BC/|TSMC начнёт 16 нм производство в 1 квартале 2015 года]])).\\
+Согласно экстенсивной стратегии фирмы Intel уменьшение техпроцесса до 14 нм изначально ожидалось через год после представления чипа Haswell; процессоры на новом техпроцессе будут использовать архитектуру с названием [[Broadwell]].\\
-В 2008 году, на ежегодной выставке высоких технологий International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско технологический альянс компаний IBM, AMD и Toshiba продемонстрировал ячейку памяти SRAM, выполненную по 22-нм техпроцессу из транзисторов типа FinFET, которые, в свою очередь, выполняются по прогрессивной технологии high-k/metal gate (затворы транзистора изготавливаются не из кремния, а из гафния), площадью всего 0,128 мкм² (0,58×0,22 мкм)[23].
+Строительство завода под названием **Fab 42** в американском штате Аризона началось в середине 2011 года, а в эксплуатацию планировалось сдать в 2013 году. По заявлению Intel, он стал бы самым современным заводом по массовому выпуску компьютерных процессоров, используя 14-нанометровую технологию на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. Завод также стал бы первым массовым производством, совместимым с 450-мм пластинами.(([[http://www.tomshardware.com/news/intel-fab42-14nm-cpu-factory,14545.html|A First Look at Intel’s 14nm Fab 42 Manufacturing Facility]] <nowiki>//</nowiki> January 25, 2012 by Douglas Perry — source: VLSI Research; на русском: [[http://thg.ru/technews/20120125_175600|Intel Fab 42: первые фото строящегося производства по созданию 14 нм процессоров]]. Цитата: «first volume production facility that is compatible with 450 mm wafers»))(([[http://www.eetimes.com/electronics-news/4213295/Intel-to-build-new-Arizona-fab-|Update: Intel to build fab for 14-nm chips]] <nowiki>//</nowiki> Mark LaPedus 2/18/2011 «Fab 42, will be a 300-mm plant. It will also be compatible for 450-mm»)) В стройку планируется вложить более $5 млрд. На момент запуска Fab 42 станет, по ожиданиям, одним из самых передовых в мире заводов по выпуску полупроводниковой продукции в больших объёмах.\\
+В январе 2014 года Intel объявила о задержке открытия завода Fab 42(([[http://www.extremetech.com/computing/174832-intel-cancels-14nm-fab-42-in-arizona-but-its-nothing-to-worry-about|Intel cancels 14nm Fab 42 in Arizona, due to increasing competition from ARM.]] <nowiki>//</nowiki> ExtremeTech)). Открытие завода планируется в IV квартале 2014 года, массовое производство в I квартале 2015 года(([[http://www.digitimes.com/news/a20140212PD209.html?mod=2|Intel postpones Broadwell availability to 4Q14]])).\\
-Также о разработке ячейки памяти типа SRAM площадью 0,1 мкм² созданную по техпроцессу 22 нм объявили IBM и AMD[24]
+По состоянию на май 2014 компания Samsung продолжает разработки техпроцессов 14 нм LPE/LPP(([[http://www.digitimes.com/news/a20140514PD208.html]])). В 2015 году Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм(([[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/48/34|Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм]]. <nowiki>//</nowiki> iXBT.com)).\\
-Первые работоспособные тестовые образцы регулярных структур (SRAM) представлены публике компанией Intel в 2009 году[25]. 22-нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм² функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм² оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм² является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM.
+Апрель 2015 — Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell).(([[http://itc.ua/news/intel-nachinaet-prodazhi-14-nm-protsessorov-celeron-n3000-n3050-n3150-pentium-n3700-braswell/|Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell)]], 01.04.2015))\\
+===10 нм===
-По такой технологии производятся (начала 2012 года):
+Тайваньский полупроводниковый производитель United Microelectronics (UMC) сообщил, что присоединится к технологическому альянсу IBM для участия в разработке 10 нм CMOS-техпроцесса(([[http://www.3dnews.ru/news/646765|UMC присоединится к IBM в разработке 10-нм техпроцесса]])).\\
+В 2011 году публиковалась информация о планах Intel по развитию техпроцесса 10 нм к 2018 году(([[http://www.3dnews.ru/news/614699|Просочившийся слайд Intel указывает на 10-нм техпроцесс в 2018 году]])).\\
-Intel Ivy Bridge / Ivy Bridge-E
+Пробный выпуск продукции компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) по нормам 10 нм намечен на 2015 год, а серийный — на 2016 год(([[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?18/07/44|В будущем году TSMC планирует начать пробный, а в 2016 году — серийный выпуск продукции по нормам 10 нм]])).\\
-Intel Haswell (последователь Ivy Bridge, со встроенным GPU).
+====См. также====
-Intel Bay Trail-M (мобильные Pentium и Celeron на микроархитектуре Silvermont; сентябрь 2013)
+  * [[Закон Мура]]
-нм / 16 нм FinFET[править | править вики-текст]
+  * [[Полупроводниковая пластина]]
-По состоянию на сентябрь 2014 TSMC продолжает разработки 16 нм техпроцесса на транзисторах с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, FinFET) и планирует начать 16 нм производство в 1 квартале 2015 года[26].
+  * [[Подложка]]
+  * [[Список микроэлектронных производств]]
-Есть более полная статья
+  * [[Микротехнология]]
-В другом языковом разделе есть более полная статья Multigate_device (англ.)
+  * [[Нанотехнология]]
-Вы можете помочь проекту, расширив текущую статью с помощью перевода.
+  * [[Международный план по развитию полупроводниковой технологии]] (ITRS) — набор плановых документов мировых лидеров полупроводниковой промышленности, для международного планирования производства, исследований и соответствия технологий и техпроцессов в рамках индустрии.
-Согласно экстенсивной стратегии фирмы Intel уменьшение техпроцесса до 14 нм изначально ожидалось через год после представления чипа Haswell; процессоры на новом техпроцессе будут использовать архитектуру с названием Broadwell.
+====Литература===
+  * Готра З. Ю. Справочник по технологии микроэлектронных устройств. — Львов: Каменяр, 1986. — 287 с.
-Строительство завода под названием Fab 42 в американском штате Аризона началось в середине 2011 года, а в эксплуатацию планировалось сдать в 2013 году. По заявлению Intel, он стал бы самым современным заводом по массовому выпуску компьютерных процессоров, используя 14-нанометровую технологию на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. Завод также стал бы первым массовым производством, совместимым с 450-мм пластинами.[27][28] В стройку планируется вложить более $5 млрд. На момент запуска Fab 42 станет, по ожиданиям, одним из самых передовых в мире заводов по выпуску полупроводниковой продукции в больших объёмах.
+  * Бер А. Ю., Минскер Ф. Е. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. — М: «Высшая школа», 1986. — 279 с.
+====Ссылки====
-В январе 2014 года Intel объявила о задержке открытия завода Fab 42[29]. Открытие завода планируется в IV квартале 2014 года, массовое производство в I квартале 2015 года[30].
+  * Тасит Мурки. [[http://www.ixbt.com/cpu/microelectronics.shtml|Закон Мура против нанометров. Всё, что вы хотели знать о микроэлектронике, но почему-то не узнали…]] <nowiki>//</nowiki> ixbt.com, 2 ноября 2011
+  * [[http://www.icknowledge.com/products/icprocesses1505.pdf|Список техпроцессов от IC Knowledge Llc]], 2015-10-20  (англ.)
-По состоянию на май 2014 компания Samsung продолжает разработки техпроцессов 14 нм LPE/LPP[31]. В 2015 году Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм[32].
+{{tag>"Электронная промышленность"}}
-Апрель 2015 — Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell).[33]
-нм[править | править вики-текст]
-Тайваньский полупроводниковый производитель United Microelectronics (UMC) сообщил, что присоединится к технологическому альянсу IBM для участия в разработке 10 нм CMOS-техпроцесса[34].
-В 2011 году публиковалась информация о планах Intel по развитию техпроцесса 10 нм к 2018 году[35].
-Пробный выпуск продукции компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) по нормам 10 нм намечен на 2015 год, а серийный — на 2016 год[36].

Сайт патологического холостяка

Различия

Главное меню

Рекомендовать сайт

Навигация

Вход на сайт

Старая структура меню

Реклама

Сайт патологического холостяка

Инструменты пользователя

Инструменты сайта

Различия

Инструменты страницы

Главное меню

Рекомендовать сайт

Навигация

Вход на сайт

Старая структура меню

Реклама