Различия

Здесь показаны различия между двумя версиями данной страницы.

--- технологический-процесс-в-электронной-промышленности [2015/11/03 14:51]
stalko [Этапы технологического процесса при производстве микросхем]
+++ технологический-процесс-в-электронной-промышленности [2015/11/03 19:50] (текущий)
@@ Строка 115: / Строка 115: @@
   * [[Эльбрус-4С]] — 2014
 ===45 нм / 40 нм===
-**45 нм и 40 нм** — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2006—2007 годах ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS[6], соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 65 нм.
+**45 нм и 40 нм** — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2006—2007 годах ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS(([[http://www.realintent.com/real-talk/911/semiconductor-design-technology-and-system-drivers-roadmap-process-and-status-part-3|Semiconductor Design Technology and System Drivers Roadmap: Process and Status – Part 3]], 2013: "ITRS MPU driver model ..scaled the number of logic transistors .. by 2× per technology node. Since dimensions shrink by 0.7× per node, and nominal layout density therefore doubles, this simple scaling model allows die size to remain constant across technology nodes.")), соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 65 нм.\\
+Для микроэлектронной промышленности стал революционным, так как это был первый техпроцесс, использующий технологию //high-k/metal gate//(([[http://www.intel.com/pressroom/kits/45nm/index.htm| PRESS KIT - First 45nm Chips: Eco-Friendly. Faster. ‘Cooler’]]))(([[http://download.intel.com/pressroom/kits/45nm/Press45nm107_FINAL.pdf|Intel Demonstrates High-k + Metal Gate Transistor Breakthrough on 45 nm Microprocessors]])) (HfSiON/TaN в технологии компании Intel), для замены физически себя исчерпавших SiO2/poly-Si
-Для микроэлектронной промышленности стал революционным, так как это был первый техпроцесс, использующий технологию high-k/metal gate[8][9] (HfSiON/TaN в технологии компании Intel), для замены физически себя исчерпавших SiO2/poly-Si
+  * Intel [[Core 2 Duo]]
+  * Intel [[Core 2 Quad]]
-Intel Core 2 Duo
+  * [[AMD Phenom]] II X2, X3, X4, X6
-Intel Core 2 Quad
+  * AMD [[Athlon II]] X2, X3, X4
-AMD Phenom II X2, X3, X4, X6
+  * Fujitsu [[SPARC64 VI|SPARC64 VIIIfx]]
-AMD Athlon II X2, X3, X4
+  * [[XCGPU]] ([[APU]] от GlobalFoundries, с 2010)
-Fujitsu SPARC64 VIIIfx
+===32 нм / 28 нм===
-XCGPU (APU от GlobalFoundries, с 2010)
+**32 нм** — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2010 годах ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS(([[http://www.intel.com/pressroom/kits/45nm/index.htm| PRESS KIT - First 45nm Chips: Eco-Friendly. Faster. ‘Cooler’]]))(([[http://download.intel.com/pressroom/kits/45nm/Press45nm107_FINAL.pdf|Intel Demonstrates High-k + Metal Gate Transistor Breakthrough on 45 nm Microprocessors]])), соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 45 нм.\\
-нм / 28 нм[править | править вики-текст]
+Осенью 2009 компания Intel находилась на этапе перехода к этому новому техпроцессу(([[http://www.intel.com/technology/architecture-silicon/32nm/index.htm|Intel 32nm Logic Technology]]))(([[http://news.modnews.ru/view/5983|процессоры Intel по 32-нм технологии]]))(([[http://download.intel.com/pressroom/kits/events/idffall_2009/pdfs/FactSheet-Intel_32nm_process_technology.pdf|New Details on Intel’s Upcoming 32nm Logic Technology]]))(([[http://download.intel.com/pressroom/kits/32nm/westmere/Intel_32nm_Overview.pdf|White Paper Introduction to Intel’s 32nm Process Technology]]))(([[http://download.intel.com/technology/architecture-silicon/32nm/IEDM_09_32nm_SOC_abstract.pdf|High Performance 32nm Logic Technology Featuring 2nd Generation High-k + Metal Gate Transistors]])). С начала 2011 начали производиться процессоры по данному техпроцессу.\\
-нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2010 годах ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS[6], соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 45 нм.
+В третьем квартале 2010 года на новых мощностях расположенной на Тайване фабрики Fab 12 компании TSMC начался серийный выпуск продукции по технологии, получившей маркетинговое обозначение "28-нанометров"(([[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?12/86/73|TSMC преодолела сложности 40-нанометровой технологии и в этом году начнет выпуск по нормам 28 нм]])) (не является обозначением, рекомендуемым ITRS).
+  * Intel [[Sandy Bridge]]
-Осенью 2009 компания Intel находилась на этапе перехода к этому новому техпроцессу[10][11][12][13][14]. С начала 2011 начали производиться процессоры по данному техпроцессу.
+  * [[Intel Saltwell]]
+  * AMD [[Bulldozer (микроархитектура)|Bulldozer]]
-В третьем квартале 2010 года на новых мощностях расположенной на Тайване фабрики Fab 12 компании TSMC начался серийный выпуск продукции по технологии, получившей маркетинговое обозначение "28-нанометров"[15] (не является обозначением, рекомендуемым ITRS).
+  * AMD Piledriver (второе поколение Bulldozer)
+  * [[APU]] от AMD: [[Llano]] и [[Trinity (процессор)|Trinity]] (второе поколение AMD APU)
-Intel Sandy Bridge
+  * Многоядерные процессоры Snapdragon фирмы Qualcomm.
-Intel Saltwell
+  * Мобильные процессоры Apple A7, изготовляемые Samsung.
-AMD Bulldozer
+  * AMD Steamroller (третье поколение Bulldozer, ожидается к середине 2014 года)(([[http://www.3dnews.ru/news/634483|AMD исправляет минусы Bulldozer в архитектуре Steamroller]]))(([[http://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/24438-amd-kaveri-2014.html|Новая архитектура AMD "Steamroller" в 2014?]]))
-AMD Piledriver (англ.)русск. (второе поколение Bulldozer)
+  * [[Эльбрус-8С]] (восьмиядерный процессор серверного класса с архитектурой "Эльбрус", ожидается к 2015 году)((МЦСТ. [[http://www.mcst.ru/novyj-8yadernyj-mikroprocessor-elbrus-8c|Новый 8-ядерный микропроцессор Эльбрус-8С]]))(([[http://www.mcst.ru/vosmiyadernyj-mikroprocessor-s-arkhitekturoj-elbrus|Восьмиядерный микропроцессор с архитектурой Эльбрус]]))
-APU от AMD: Llano и Trinity (второе поколение AMD APU)
+В мае 2011 по технологии 28 нм фирмой [[Altera]] была выпущена самая большая в мире микросхема, состоящая из 3,9 млрд транзисторов(([[http://www.computery.ru/news/news2010.php?nid=8298|Корпорация Altera установила новый отраслевой рекорд — Программируемая вентильная матрица (FPGA) Stratix V]])).\\
-Многоядерные процессоры Snapdragon фирмы Qualcomm.
+===22 нм / 20 нм===
-Мобильные процессоры Apple A7, изготовляемые Samsung.
+**22 нм** — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2012 гг. ведущими компаниями — производителями микросхем. Соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 32 нм.\\
-AMD Steamroller (третье поколение Bulldozer, ожидается к середине 2014 года)[16][17]
+-нм элементы формируются путем фотолитографии, в которой маска экспонируется светом с длиной волны 193 нм(([[http://www.intel.com/cd/corporate/pressroom/emea/rus/archive/2009/432452.htm?print&nocc|Новости с прошедшего с 22 по 24 сентября в Сан-Франциско Форума Intel для разработчиков (Intel Developer Forum, IDF)]]))(([[http://www.semiwiki.com/forum/content/2950-rosetta-stone-lithography.html|The Rosetta Stone of Lithography]], 2013-11-20, по материалам Lars Leibmann, The Escalating Design Impact of Resolution-Challenged Lithography. ICCAD 2013)).\\
-Эльбрус-8С (восьмиядерный процессор серверного класса с архитектурой "Эльбрус", ожидается к 2015 году)[18][19]
+В 2008 году, на ежегодной выставке высоких технологий International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско технологический альянс компаний IBM, AMD и Toshiba продемонстрировал ячейку памяти [[SRAM (память)|SRAM]], выполненную по 22-нм техпроцессу из транзисторов типа [[FinFET]], которые, в свою очередь, выполняются по прогрессивной технологии [[high-k]]/metal gate (затворы транзистора изготавливаются не из кремния, а из гафния), площадью всего 0,128 мкм² (0,58×0,22 мкм)(([[http://news.tech-labs.ru/15_59357.html|IBM, AMD и Toshiba продемонстрировали первую 22-нм ячейку памяти SRAM]])).\\
-В мае 2011 по технологии 28 нм фирмой Altera была выпущена самая большая в мире микросхема, состоящая из 3,9 млрд транзисторов[20].
+Также о разработке ячейки памяти типа SRAM площадью 0,1 мкм² созданную по техпроцессу 22 нм объявили IBM и AMD(([[http://www.matrixmen.ru/news/news_hardware_amd_ibm.php|IBM и AMD продемонстрируют 22 нм ячейку памяти]]))\\
+Первые работоспособные тестовые образцы регулярных структур (SRAM) представлены публике компанией Intel в 2009 году(([[http://download.intel.com/pressroom/kits/events/idffall_2009/pdfs/22nm_factsheet.pdf|Intel Developer Forum 22nm News Facts]])). 22-нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм² функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм² оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм² является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM.\\
-нм / 20 нм[править | править вики-текст]
+По такой технологии производятся (начала 2012 года):\\
-нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2012 гг. ведущими компаниями — производителями микросхем. Соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 32 нм.
+  * Intel [[Ivy Bridge]] / Ivy Bridge-E
+  * Intel [[Haswell]] (последователь Ivy Bridge, со встроенным GPU).
--нм элементы формируются путем фотолитографии, в которой маска экспонируется светом с длиной волны 193 нм[21][22].
+  * Intel [[Bay Trail]]-M (мобильные Pentium и Celeron на микроархитектуре Silvermont; сентябрь 2013)
+===14 нм / 16 нм FinFET===
-В 2008 году, на ежегодной выставке высоких технологий International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско технологический альянс компаний IBM, AMD и Toshiba продемонстрировал ячейку памяти SRAM, выполненную по 22-нм техпроцессу из транзисторов типа FinFET, которые, в свою очередь, выполняются по прогрессивной технологии high-k/metal gate (затворы транзистора изготавливаются не из кремния, а из гафния), площадью всего 0,128 мкм² (0,58×0,22 мкм)[23].
+По состоянию на сентябрь 2014 TSMC продолжает разработки 16 нм техпроцесса на транзисторах с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, [[FinFET]]) и планирует начать 16 нм производство в 1 квартале 2015 года(([[http://nvworld.ru/news/tags/16%20%D0%BD%D0%BC/|TSMC начнёт 16 нм производство в 1 квартале 2015 года]])).\\
+Согласно экстенсивной стратегии фирмы Intel уменьшение техпроцесса до 14 нм изначально ожидалось через год после представления чипа Haswell; процессоры на новом техпроцессе будут использовать архитектуру с названием [[Broadwell]].\\
-Также о разработке ячейки памяти типа SRAM площадью 0,1 мкм² созданную по техпроцессу 22 нм объявили IBM и AMD[24]
+Строительство завода под названием **Fab 42** в американском штате Аризона началось в середине 2011 года, а в эксплуатацию планировалось сдать в 2013 году. По заявлению Intel, он стал бы самым современным заводом по массовому выпуску компьютерных процессоров, используя 14-нанометровую технологию на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. Завод также стал бы первым массовым производством, совместимым с 450-мм пластинами.(([[http://www.tomshardware.com/news/intel-fab42-14nm-cpu-factory,14545.html|A First Look at Intel’s 14nm Fab 42 Manufacturing Facility]] <nowiki>//</nowiki> January 25, 2012 by Douglas Perry — source: VLSI Research; на русском: [[http://thg.ru/technews/20120125_175600|Intel Fab 42: первые фото строящегося производства по созданию 14 нм процессоров]]. Цитата: «first volume production facility that is compatible with 450 mm wafers»))(([[http://www.eetimes.com/electronics-news/4213295/Intel-to-build-new-Arizona-fab-|Update: Intel to build fab for 14-nm chips]] <nowiki>//</nowiki> Mark LaPedus 2/18/2011 «Fab 42, will be a 300-mm plant. It will also be compatible for 450-mm»)) В стройку планируется вложить более $5 млрд. На момент запуска Fab 42 станет, по ожиданиям, одним из самых передовых в мире заводов по выпуску полупроводниковой продукции в больших объёмах.\\
-Первые работоспособные тестовые образцы регулярных структур (SRAM) представлены публике компанией Intel в 2009 году[25]. 22-нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм² функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм² оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм² является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM.
+В январе 2014 года Intel объявила о задержке открытия завода Fab 42(([[http://www.extremetech.com/computing/174832-intel-cancels-14nm-fab-42-in-arizona-but-its-nothing-to-worry-about|Intel cancels 14nm Fab 42 in Arizona, due to increasing competition from ARM.]] <nowiki>//</nowiki> ExtremeTech)). Открытие завода планируется в IV квартале 2014 года, массовое производство в I квартале 2015 года(([[http://www.digitimes.com/news/a20140212PD209.html?mod=2|Intel postpones Broadwell availability to 4Q14]])).\\
+По состоянию на май 2014 компания Samsung продолжает разработки техпроцессов 14 нм LPE/LPP(([[http://www.digitimes.com/news/a20140514PD208.html]])). В 2015 году Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм(([[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/48/34|Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм]]. <nowiki>//</nowiki> iXBT.com)).\\
-По такой технологии производятся (начала 2012 года):
+Апрель 2015 — Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell).(([[http://itc.ua/news/intel-nachinaet-prodazhi-14-nm-protsessorov-celeron-n3000-n3050-n3150-pentium-n3700-braswell/|Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell)]], 01.04.2015))\\
+===10 нм===
-Intel Ivy Bridge / Ivy Bridge-E
+Тайваньский полупроводниковый производитель United Microelectronics (UMC) сообщил, что присоединится к технологическому альянсу IBM для участия в разработке 10 нм CMOS-техпроцесса(([[http://www.3dnews.ru/news/646765|UMC присоединится к IBM в разработке 10-нм техпроцесса]])).\\
-Intel Haswell (последователь Ivy Bridge, со встроенным GPU).
+В 2011 году публиковалась информация о планах Intel по развитию техпроцесса 10 нм к 2018 году(([[http://www.3dnews.ru/news/614699|Просочившийся слайд Intel указывает на 10-нм техпроцесс в 2018 году]])).\\
-Intel Bay Trail-M (мобильные Pentium и Celeron на микроархитектуре Silvermont; сентябрь 2013)
+Пробный выпуск продукции компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) по нормам 10 нм намечен на 2015 год, а серийный — на 2016 год(([[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?18/07/44|В будущем году TSMC планирует начать пробный, а в 2016 году — серийный выпуск продукции по нормам 10 нм]])).\\
-нм / 16 нм FinFET[править | править вики-текст]
+====См. также====
-По состоянию на сентябрь 2014 TSMC продолжает разработки 16 нм техпроцесса на транзисторах с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, FinFET) и планирует начать 16 нм производство в 1 квартале 2015 года[26].
+  * [[Закон Мура]]
+  * [[Полупроводниковая пластина]]
-Есть более полная статья
+  * [[Подложка]]
-В другом языковом разделе есть более полная статья Multigate_device (англ.)
+  * [[Список микроэлектронных производств]]
-Вы можете помочь проекту, расширив текущую статью с помощью перевода.
+  * [[Микротехнология]]
-Согласно экстенсивной стратегии фирмы Intel уменьшение техпроцесса до 14 нм изначально ожидалось через год после представления чипа Haswell; процессоры на новом техпроцессе будут использовать архитектуру с названием Broadwell.
+  * [[Нанотехнология]]
+  * [[Международный план по развитию полупроводниковой технологии]] (ITRS) — набор плановых документов мировых лидеров полупроводниковой промышленности, для международного планирования производства, исследований и соответствия технологий и техпроцессов в рамках индустрии.
-Строительство завода под названием Fab 42 в американском штате Аризона началось в середине 2011 года, а в эксплуатацию планировалось сдать в 2013 году. По заявлению Intel, он стал бы самым современным заводом по массовому выпуску компьютерных процессоров, используя 14-нанометровую технологию на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. Завод также стал бы первым массовым производством, совместимым с 450-мм пластинами.[27][28] В стройку планируется вложить более $5 млрд. На момент запуска Fab 42 станет, по ожиданиям, одним из самых передовых в мире заводов по выпуску полупроводниковой продукции в больших объёмах.
+====Литература===
+  * Готра З. Ю. Справочник по технологии микроэлектронных устройств. — Львов: Каменяр, 1986. — 287 с.
-В январе 2014 года Intel объявила о задержке открытия завода Fab 42[29]. Открытие завода планируется в IV квартале 2014 года, массовое производство в I квартале 2015 года[30].
+  * Бер А. Ю., Минскер Ф. Е. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. — М: «Высшая школа», 1986. — 279 с.
+====Ссылки====
-По состоянию на май 2014 компания Samsung продолжает разработки техпроцессов 14 нм LPE/LPP[31]. В 2015 году Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм[32].
+  * Тасит Мурки. [[http://www.ixbt.com/cpu/microelectronics.shtml|Закон Мура против нанометров. Всё, что вы хотели знать о микроэлектронике, но почему-то не узнали…]] <nowiki>//</nowiki> ixbt.com, 2 ноября 2011
+  * [[http://www.icknowledge.com/products/icprocesses1505.pdf|Список техпроцессов от IC Knowledge Llc]], 2015-10-20  (англ.)
-Апрель 2015 — Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell).[33]
+{{tag>"Электронная промышленность"}}
-нм[править | править вики-текст]
-Тайваньский полупроводниковый производитель United Microelectronics (UMC) сообщил, что присоединится к технологическому альянсу IBM для участия в разработке 10 нм CMOS-техпроцесса[34].
-В 2011 году публиковалась информация о планах Intel по развитию техпроцесса 10 нм к 2018 году[35].
-Пробный выпуск продукции компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) по нормам 10 нм намечен на 2015 год, а серийный — на 2016 год[36].

Сайт патологического холостяка

Различия

Главное меню

Рекомендовать сайт

Навигация

Вход на сайт

Старая структура меню

Реклама

Сайт патологического холостяка

Инструменты пользователя

Инструменты сайта

Различия

Инструменты страницы

Главное меню

Рекомендовать сайт

Навигация

Вход на сайт

Старая структура меню

Реклама