Инструменты пользователя
технологический-процесс-в-электронной-промышленности
Различия
Здесь показаны различия между двумя версиями данной страницы.
| Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия Следующая версия | Предыдущая версия | ||
|
технологический-процесс-в-электронной-промышленности [2015/11/03 15:10] stalko [Этапы технологического процесса при производстве микросхем] |
технологический-процесс-в-электронной-промышленности [2015/11/03 19:50] (текущий) |
||
|---|---|---|---|
| Строка 134: | Строка 134: | ||
| * Многоядерные процессоры Snapdragon фирмы Qualcomm. | * Многоядерные процессоры Snapdragon фирмы Qualcomm. | ||
| * Мобильные процессоры Apple A7, изготовляемые Samsung. | * Мобильные процессоры Apple A7, изготовляемые Samsung. | ||
| - | * AMD Steamroller (третье поколение Bulldozer, ожидается к середине 2014 года)[16][17] | + | * AMD Steamroller (третье поколение Bulldozer, ожидается к середине 2014 года)(([[http://www.3dnews.ru/news/634483|AMD исправляет минусы Bulldozer в архитектуре Steamroller]]))(([[http://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/24438-amd-kaveri-2014.html|Новая архитектура AMD "Steamroller" в 2014?]])) |
| - | * Эльбрус-8С (восьмиядерный процессор серверного класса с архитектурой "Эльбрус", ожидается к 2015 году)[18][19] | + | * [[Эльбрус-8С]] (восьмиядерный процессор серверного класса с архитектурой "Эльбрус", ожидается к 2015 году)((МЦСТ. [[http://www.mcst.ru/novyj-8yadernyj-mikroprocessor-elbrus-8c|Новый 8-ядерный микропроцессор Эльбрус-8С]]))(([[http://www.mcst.ru/vosmiyadernyj-mikroprocessor-s-arkhitekturoj-elbrus|Восьмиядерный микропроцессор с архитектурой Эльбрус]])) |
| - | В мае 2011 по технологии 28 нм фирмой [[Altera]] была выпущена самая большая в мире микросхема, состоящая из 3,9 млрд транзисторов[20]. | + | В мае 2011 по технологии 28 нм фирмой [[Altera]] была выпущена самая большая в мире микросхема, состоящая из 3,9 млрд транзисторов(([[http://www.computery.ru/news/news2010.php?nid=8298|Корпорация Altera установила новый отраслевой рекорд — Программируемая вентильная матрица (FPGA) Stratix V]])).\\ |
| - | + | ===22 нм / 20 нм=== | |
| - | 22 нм / 20 нм[править | править вики-текст] | + | **22 нм** — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2012 гг. ведущими компаниями — производителями микросхем. Соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 32 нм.\\ |
| - | 22 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2012 гг. ведущими компаниями — производителями микросхем. Соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 32 нм. | + | 22-нм элементы формируются путем фотолитографии, в которой маска экспонируется светом с длиной волны 193 нм(([[http://www.intel.com/cd/corporate/pressroom/emea/rus/archive/2009/432452.htm?print&nocc|Новости с прошедшего с 22 по 24 сентября в Сан-Франциско Форума Intel для разработчиков (Intel Developer Forum, IDF)]]))(([[http://www.semiwiki.com/forum/content/2950-rosetta-stone-lithography.html|The Rosetta Stone of Lithography]], 2013-11-20, по материалам Lars Leibmann, The Escalating Design Impact of Resolution-Challenged Lithography. ICCAD 2013)).\\ |
| - | + | В 2008 году, на ежегодной выставке высоких технологий International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско технологический альянс компаний IBM, AMD и Toshiba продемонстрировал ячейку памяти [[SRAM (память)|SRAM]], выполненную по 22-нм техпроцессу из транзисторов типа [[FinFET]], которые, в свою очередь, выполняются по прогрессивной технологии [[high-k]]/metal gate (затворы транзистора изготавливаются не из кремния, а из гафния), площадью всего 0,128 мкм² (0,58×0,22 мкм)(([[http://news.tech-labs.ru/15_59357.html|IBM, AMD и Toshiba продемонстрировали первую 22-нм ячейку памяти SRAM]])).\\ | |
| - | 22-нм элементы формируются путем фотолитографии, в которой маска экспонируется светом с длиной волны 193 нм[21][22]. | + | Также о разработке ячейки памяти типа SRAM площадью 0,1 мкм² созданную по техпроцессу 22 нм объявили IBM и AMD(([[http://www.matrixmen.ru/news/news_hardware_amd_ibm.php|IBM и AMD продемонстрируют 22 нм ячейку памяти]]))\\ |
| - | + | Первые работоспособные тестовые образцы регулярных структур (SRAM) представлены публике компанией Intel в 2009 году(([[http://download.intel.com/pressroom/kits/events/idffall_2009/pdfs/22nm_factsheet.pdf|Intel Developer Forum 22nm News Facts]])). 22-нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм² функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм² оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм² является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM.\\ | |
| - | В 2008 году, на ежегодной выставке высоких технологий International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско технологический альянс компаний IBM, AMD и Toshiba продемонстрировал ячейку памяти SRAM, выполненную по 22-нм техпроцессу из транзисторов типа FinFET, которые, в свою очередь, выполняются по прогрессивной технологии high-k/metal gate (затворы транзистора изготавливаются не из кремния, а из гафния), площадью всего 0,128 мкм² (0,58×0,22 мкм)[23]. | + | По такой технологии производятся (начала 2012 года):\\ |
| - | + | * Intel [[Ivy Bridge]] / Ivy Bridge-E | |
| - | Также о разработке ячейки памяти типа SRAM площадью 0,1 мкм² созданную по техпроцессу 22 нм объявили IBM и AMD[24] | + | * Intel [[Haswell]] (последователь Ivy Bridge, со встроенным GPU). |
| - | Первые работоспособные тестовые образцы регулярных структур (SRAM) представлены публике компанией Intel в 2009 году[25]. 22-нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм² функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм² оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм² является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM. | + | * Intel [[Bay Trail]]-M (мобильные Pentium и Celeron на микроархитектуре Silvermont; сентябрь 2013) |
| - | + | ===14 нм / 16 нм FinFET=== | |
| - | По такой технологии производятся (начала 2012 года): | + | По состоянию на сентябрь 2014 TSMC продолжает разработки 16 нм техпроцесса на транзисторах с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, [[FinFET]]) и планирует начать 16 нм производство в 1 квартале 2015 года(([[http://nvworld.ru/news/tags/16%20%D0%BD%D0%BC/|TSMC начнёт 16 нм производство в 1 квартале 2015 года]])).\\ |
| - | + | Согласно экстенсивной стратегии фирмы Intel уменьшение техпроцесса до 14 нм изначально ожидалось через год после представления чипа Haswell; процессоры на новом техпроцессе будут использовать архитектуру с названием [[Broadwell]].\\ | |
| - | Intel Ivy Bridge / Ivy Bridge-E | + | Строительство завода под названием **Fab 42** в американском штате Аризона началось в середине 2011 года, а в эксплуатацию планировалось сдать в 2013 году. По заявлению Intel, он стал бы самым современным заводом по массовому выпуску компьютерных процессоров, используя 14-нанометровую технологию на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. Завод также стал бы первым массовым производством, совместимым с 450-мм пластинами.(([[http://www.tomshardware.com/news/intel-fab42-14nm-cpu-factory,14545.html|A First Look at Intel’s 14nm Fab 42 Manufacturing Facility]] <nowiki>//</nowiki> January 25, 2012 by Douglas Perry — source: VLSI Research; на русском: [[http://thg.ru/technews/20120125_175600|Intel Fab 42: первые фото строящегося производства по созданию 14 нм процессоров]]. Цитата: «first volume production facility that is compatible with 450 mm wafers»))(([[http://www.eetimes.com/electronics-news/4213295/Intel-to-build-new-Arizona-fab-|Update: Intel to build fab for 14-nm chips]] <nowiki>//</nowiki> Mark LaPedus 2/18/2011 «Fab 42, will be a 300-mm plant. It will also be compatible for 450-mm»)) В стройку планируется вложить более $5 млрд. На момент запуска Fab 42 станет, по ожиданиям, одним из самых передовых в мире заводов по выпуску полупроводниковой продукции в больших объёмах.\\ |
| - | Intel Haswell (последователь Ivy Bridge, со встроенным GPU). | + | В январе 2014 года Intel объявила о задержке открытия завода Fab 42(([[http://www.extremetech.com/computing/174832-intel-cancels-14nm-fab-42-in-arizona-but-its-nothing-to-worry-about|Intel cancels 14nm Fab 42 in Arizona, due to increasing competition from ARM.]] <nowiki>//</nowiki> ExtremeTech)). Открытие завода планируется в IV квартале 2014 года, массовое производство в I квартале 2015 года(([[http://www.digitimes.com/news/a20140212PD209.html?mod=2|Intel postpones Broadwell availability to 4Q14]])).\\ |
| - | Intel Bay Trail-M (мобильные Pentium и Celeron на микроархитектуре Silvermont; сентябрь 2013) | + | По состоянию на май 2014 компания Samsung продолжает разработки техпроцессов 14 нм LPE/LPP(([[http://www.digitimes.com/news/a20140514PD208.html]])). В 2015 году Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм(([[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/48/34|Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм]]. <nowiki>//</nowiki> iXBT.com)).\\ |
| - | 14 нм / 16 нм FinFET[править | править вики-текст] | + | Апрель 2015 — Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell).(([[http://itc.ua/news/intel-nachinaet-prodazhi-14-nm-protsessorov-celeron-n3000-n3050-n3150-pentium-n3700-braswell/|Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell)]], 01.04.2015))\\ |
| - | По состоянию на сентябрь 2014 TSMC продолжает разработки 16 нм техпроцесса на транзисторах с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, FinFET) и планирует начать 16 нм производство в 1 квартале 2015 года[26]. | + | ===10 нм=== |
| - | + | Тайваньский полупроводниковый производитель United Microelectronics (UMC) сообщил, что присоединится к технологическому альянсу IBM для участия в разработке 10 нм CMOS-техпроцесса(([[http://www.3dnews.ru/news/646765|UMC присоединится к IBM в разработке 10-нм техпроцесса]])).\\ | |
| - | Есть более полная статья | + | В 2011 году публиковалась информация о планах Intel по развитию техпроцесса 10 нм к 2018 году(([[http://www.3dnews.ru/news/614699|Просочившийся слайд Intel указывает на 10-нм техпроцесс в 2018 году]])).\\ |
| - | В другом языковом разделе есть более полная статья Multigate_device (англ.) | + | Пробный выпуск продукции компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) по нормам 10 нм намечен на 2015 год, а серийный — на 2016 год(([[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?18/07/44|В будущем году TSMC планирует начать пробный, а в 2016 году — серийный выпуск продукции по нормам 10 нм]])).\\ |
| - | Вы можете помочь проекту, расширив текущую статью с помощью перевода. | + | ====См. также==== |
| - | Согласно экстенсивной стратегии фирмы Intel уменьшение техпроцесса до 14 нм изначально ожидалось через год после представления чипа Haswell; процессоры на новом техпроцессе будут использовать архитектуру с названием Broadwell. | + | * [[Закон Мура]] |
| - | + | * [[Полупроводниковая пластина]] | |
| - | Строительство завода под названием Fab 42 в американском штате Аризона началось в середине 2011 года, а в эксплуатацию планировалось сдать в 2013 году. По заявлению Intel, он стал бы самым современным заводом по массовому выпуску компьютерных процессоров, используя 14-нанометровую технологию на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. Завод также стал бы первым массовым производством, совместимым с 450-мм пластинами.[27][28] В стройку планируется вложить более $5 млрд. На момент запуска Fab 42 станет, по ожиданиям, одним из самых передовых в мире заводов по выпуску полупроводниковой продукции в больших объёмах. | + | * [[Подложка]] |
| - | + | * [[Список микроэлектронных производств]] | |
| - | В январе 2014 года Intel объявила о задержке открытия завода Fab 42[29]. Открытие завода планируется в IV квартале 2014 года, массовое производство в I квартале 2015 года[30]. | + | * [[Микротехнология]] |
| - | + | * [[Нанотехнология]] | |
| - | По состоянию на май 2014 компания Samsung продолжает разработки техпроцессов 14 нм LPE/LPP[31]. В 2015 году Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм[32]. | + | * [[Международный план по развитию полупроводниковой технологии]] (ITRS) — набор плановых документов мировых лидеров полупроводниковой промышленности, для международного планирования производства, исследований и соответствия технологий и техпроцессов в рамках индустрии. |
| - | + | ====Литература=== | |
| - | Апрель 2015 — Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell).[33] | + | * Готра З. Ю. Справочник по технологии микроэлектронных устройств. — Львов: Каменяр, 1986. — 287 с. |
| - | + | * Бер А. Ю., Минскер Ф. Е. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. — М: «Высшая школа», 1986. — 279 с. | |
| - | 10 нм[править | править вики-текст] | + | ====Ссылки==== |
| - | Тайваньский полупроводниковый производитель United Microelectronics (UMC) сообщил, что присоединится к технологическому альянсу IBM для участия в разработке 10 нм CMOS-техпроцесса[34]. | + | * Тасит Мурки. [[http://www.ixbt.com/cpu/microelectronics.shtml|Закон Мура против нанометров. Всё, что вы хотели знать о микроэлектронике, но почему-то не узнали…]] <nowiki>//</nowiki> ixbt.com, 2 ноября 2011 |
| - | + | * [[http://www.icknowledge.com/products/icprocesses1505.pdf|Список техпроцессов от IC Knowledge Llc]], 2015-10-20 (англ.) | |
| - | В 2011 году публиковалась информация о планах Intel по развитию техпроцесса 10 нм к 2018 году[35]. | + | {{tag>"Электронная промышленность"}} |
| - | + | ||
| - | Пробный выпуск продукции компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) по нормам 10 нм намечен на 2015 год, а серийный — на 2016 год[36]. | + | |
технологический-процесс-в-электронной-промышленности.1446552634.txt.gz · Последние изменения: 2015/11/03 15:10 — stalko
Инструменты страницы
Если не указано иное, содержимое этой вики предоставляется на условиях следующей лицензии: CC Attribution-Share Alike 4.0 International
